Учёные из EPFL (Федеральная политехническая школа Лозанны) создали прототип памяти, которая может иметь большой потенциал.
Благодаря комбинации двух материалов с выдающимися электрическими свойствами — графена и молибденита, им удалось создать уникальную двухмерную гетерогенную структуру, способную запоминать информацию.
Основой памяти, так же как и электродов, является высокопроводящий графен. Прослойка из молибденита позволяет быстро переключать состояния памяти, затрачивая при этом минимум энергии.
Такая гибридная основа позволяет создавать гораздо более быстрые и энергоэффективные ячейки памяти, нежели современные кремниевые аналоги. Кроме того, эти материалы предоставляют возможность создания сверхтонких структур, что делает их более подходящей основой для гибкой электроники.
Внимание! Данная статья была написана более полугода назад, актуальность материала и состояние жизни ссылок не гарантируется! Воспользуйтесь дополнительными параметрами для поиска необходимого вам контента! Приносим свои извинения...
Внимание! У статьи пока нет комментариев, оставьте первым свой комментарий?
